فلش مموری

فلش

فلش مموری

فلش

حافظهٔ ترابرد یا فلش مموری ( Flash memory)، یک رسانه جداشدنی و حافظه غیرفرار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است
که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد.
این فناوری عمدتاً در کارت‌های حافظه و یواس‌بی استفاده می‌شود
و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود.
این نوع خاصی از ئی‌ئیپ‌رام (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است
که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است.
از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست.
علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی
(اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار پویا با دسترسی تصادفی (دی‌رَم)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست)
ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت در برابر شوک حرکتی می‌باشد.

فلش نَند نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند
اما آن‌ها به صورتی به هم متصل اند که دروازهٔ نَند را شبیه‌سازی می‌کنند.
تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل‌اند
و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند.
سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل نُر متصل شده‌اند
مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش نُر به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.

در حافظه نَند عمودی، سلول‌های حافظه به‌طور عمودی روی هم قرار می‌گیرند.
با این کار بدون احتیاج به سلول‌هایی کوچک‌تر می‌توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول‌ها ایجاد کرد.

در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده‌است،
بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می‌شود.
فیلم‌های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم‌تر شوند
و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند.
بارهای الکتریکی نمی‌توانند به‌طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند،
در نتیجه سلول‌های حافظه در لایه‌های عمودی متفاوت، با هم هیچ تداخلی ندارند.
هر مجموعه عمودی، از نظر الکتریکی مشابه گروه‌های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می‌شوند، می‌باشد.

از سال ۲۰۱۳ عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نَند عمودی، با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نَند معمولی اتفاق می‌افتد.
از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها ۵۰ درصد انرژی مصرفی حافظه نَند معمولی تا ۱۰ برابر آن عمر می‌کند.

در حال حاضر فلش مموری از ۴ گیگ تا ۲ ترابایت موجود است.
ظرفیت فلش‌ها به این ساختار می‌باشد:
۴ گیگ، ۸ گیگ، ۱۶ گیگ، ۳۲ گیگ، ۶۴ گیگ، ۱۲۸ گیگ، ۲۵۶ گیگ، ۵۱۲ گیگ، ۱۰۲۴ گیگ و ۲۰۴۸ گیگ که همان دو ترابایت می‌شود.
در واقع این اعداد، همان اعداد ۲ به توان‌های مختلف است.
۲ به توان ۲ می‌شود ۴، ۲ به توان ۳ می‌شود ۸، ۲ به توان ۴ می‌شود ۱۶ و به همین منوال.