سبد خرید شما خالی است.

سبد خرید

سبد خرید شما خالی است.

سبد خرید

فلش مموری

    فلش

    فلش مموری

    فلش

    معرفی

    • حافظهٔ ترابرد یا فلش مموریFlash memory)، یک رسانه جداشدنی و حافظه غیرفرار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است
    • که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد.
    • این فناوری عمدتاً در کارت‌های حافظه و یواس‌بی استفاده می‌شود
    • و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود.
    • این نوع خاصی از ئی‌ئیپ‌رام (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است
    • که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است.
    • از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست.
    • علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی
    • (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار پویا با دسترسی تصادفی (دی‌رَم)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست)
    • ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت در برابر شوک حرکتی می‌باشد.

    انواع حافظه فلش

    نُر

    • هر سلول در فلش نُر یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است
    • و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است.
    • این ترتیب به این دلیل نُر نامید شده‌است که مثل یک دروازه‌ نُر عمل می‌کند.
    • وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود
    • ترانزیستور ذخیره‌کننده مربوط عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.

    نَند

    • فلش نَند نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند
    • اما آن‌ها به صورتی به هم متصل اند که دروازهٔ نَند را شبیه‌سازی می‌کنند.
    • تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل‌اند
    • و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند.
    • سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل نُر متصل شده‌اند
    • مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش نُر به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.

    فلش نَند عمودی (Vertical NAND)

    • در حافظه نَند عمودی، سلول‌های حافظه به‌طور عمودی روی هم قرار می‌گیرند.
    • با این کار بدون احتیاج به سلول‌هایی کوچک‌تر می‌توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول‌ها ایجاد کرد.

    ساختار

    • در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده‌است،
    • بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می‌شود.
    • فیلم‌های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم‌تر شوند
    • و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند.
    • بارهای الکتریکی نمی‌توانند به‌طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند،
    • در نتیجه سلول‌های حافظه در لایه‌های عمودی متفاوت، با هم هیچ تداخلی ندارند.
    • هر مجموعه عمودی، از نظر الکتریکی مشابه گروه‌های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می‌شوند، می‌باشد.

    عملکرد

    • از سال ۲۰۱۳ عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نَند عمودی، با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نَند معمولی اتفاق می‌افتد.
    • از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها ۵۰ درصد انرژی مصرفی حافظه نَند معمولی تا ۱۰ برابر آن عمر می‌کند.

    ظرفیت فلش مموری

    • در حال حاضر فلش مموری از ۴ گیگ تا ۲ ترابایت موجود است.
    • ظرفیت فلش‌ها به این ساختار می‌باشد:
    • ۴ گیگ، ۸ گیگ، ۱۶ گیگ، ۳۲ گیگ، ۶۴ گیگ، ۱۲۸ گیگ، ۲۵۶ گیگ، ۵۱۲ گیگ، ۱۰۲۴ گیگ و ۲۰۴۸ گیگ که همان دو ترابایت می‌شود.
    • در واقع این اعداد، همان اعداد ۲ به توان‌های مختلف است.
    • ۲ به توان ۲ می‌شود ۴، ۲ به توان ۳ می‌شود ۸، ۲ به توان ۴ می‌شود ۱۶ و به همین منوال.

    خرید آنلاین

    در صورت نیاز به راهنمایی، از طریق چت آنلاین سایت پاسخگوی شما هستیم.