دسته بندی محصولات

سبد خرید شما خالی است.

سبد خرید

فلش مموری

فلش

فلش مموری

 

فلش

 

معرفی

  • حافظهٔ ترابرد یا فلش مموری ( Flash memory)، یک رسانه جداشدنی و حافظه غیرفرار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است
  • که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد.
  • این فناوری عمدتاً در کارت‌های حافظه و یواس‌بی استفاده می‌شود
  • و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود.
  • این نوع خاصی از ئی‌ئیپ‌رام (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است
  • که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است.
  • از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست.
  • علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی
  • (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار پویا با دسترسی تصادفی (دی‌رَم)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست)
  • ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت در برابر شوک حرکتی می‌باشد.

انواع حافظه فلش

فلش نُر

  • هر سلول در فلش نُر یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است
  • و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است.
  • این ترتیب به این دلیل نُر نامید شده‌است که مثل یک دروازه‌ نُر عمل می‌کند.
  • وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود
  • ترانزیستور ذخیره‌کننده مربوط عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.

فلش نَند

  • فلش نَند نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند
  • اما آن‌ها به صورتی به هم متصل اند که دروازهٔ نَند را شبیه‌سازی می‌کنند.
  • تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل‌اند
  • و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند.
  • سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل نُر متصل شده‌اند
  • مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش نُر به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.

فلش نَند عمودی (Vertical NAND)

  • در حافظه نَند عمودی، سلول‌های حافظه به‌طور عمودی روی هم قرار می‌گیرند.
  • با این کار بدون احتیاج به سلول‌هایی کوچک‌تر می‌توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول‌ها ایجاد کرد.

ساختار

  • در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده‌است،
  • بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می‌شود.
  • فیلم‌های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم‌تر شوند
  • و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند.
  • بارهای الکتریکی نمی‌توانند به‌طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند،
  • در نتیجه سلول‌های حافظه در لایه‌های عمودی متفاوت، با هم هیچ تداخلی ندارند.
  • هر مجموعه عمودی، از نظر الکتریکی مشابه گروه‌های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می‌شوند، می‌باشد.

عملکرد

  • از سال ۲۰۱۳ عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نَند عمودی، با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نَند معمولی اتفاق می‌افتد.
  • از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها ۵۰ درصد انرژی مصرفی حافظه نَند معمولی تا ۱۰ برابر آن عمر می‌کند.

ظرفیت فلش مموری

  • در حال حاضر فلش مموری از ۴ گیگ تا ۲ ترابایت موجود است.
  • ظرفیت فلش‌ها به این ساختار می‌باشد:
  • ۴ گیگ، ۸ گیگ، ۱۶ گیگ، ۳۲ گیگ، ۶۴ گیگ، ۱۲۸ گیگ، ۲۵۶ گیگ، ۵۱۲ گیگ، ۱۰۲۴ گیگ و ۲۰۴۸ گیگ که همان دو ترابایت می‌شود.
  • در واقع این اعداد، همان اعداد ۲ به توان‌های مختلف است.
  • ۲ به توان ۲ می‌شود ۴، ۲ به توان ۳ می‌شود ۸، ۲ به توان ۴ می‌شود ۱۶ و به همین منوال.

خرید آنلاین

در صورت نیاز به راهنمایی، از طریق چت آنلاین سایت پاسخگوی شما هستیم.