فلش مموری

فلش

فلش مموری

معرفی

• حافظهٔ ترابرد یا فلش مموری ( Flash memory)، یک رسانه جداشدنی و حافظه غیرفرار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است
• که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد.
• این فناوری عمدتاً در کارت‌های حافظه و یواس‌بی استفاده می‌شود
• و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود.
• این نوع خاصی از ئی‌ئیپ‌رام (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است
• که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است.
• از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست.
• علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی
• (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار پویا با دسترسی تصادفی (دی‌رَم)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست)
• ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت در برابر شوک حرکتی می‌باشد.

انواع حافظه فلش

نُر

• هر سلول در فلش نُر یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است
• و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است.
• این ترتیب به این دلیل نُر نامید شده‌است که مثل یک دروازه‌ نُر عمل می‌کند.
• وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود
• ترانزیستور ذخیره‌کننده مربوط عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.

نَند

• فلش نَند نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند
• اما آن‌ها به صورتی به هم متصل اند که دروازهٔ نَند را شبیه‌سازی می‌کنند.
• تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل‌اند
• و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند.
• سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل نُر متصل شده‌اند
• مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش نُر به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.

فلش نَند عمودی (Vertical NAND)

• در حافظه نَند عمودی، سلول‌های حافظه به‌طور عمودی روی هم قرار می‌گیرند.
• با این کار بدون احتیاج به سلول‌هایی کوچک‌تر می‌توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول‌ها ایجاد کرد.

ساختار

• در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده‌است،
• بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می‌شود.
• فیلم‌های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم‌تر شوند
• و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند.
• بارهای الکتریکی نمی‌توانند به‌طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند،
• در نتیجه سلول‌های حافظه در لایه‌های عمودی متفاوت، با هم هیچ تداخلی ندارند.
• هر مجموعه عمودی، از نظر الکتریکی مشابه گروه‌های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می‌شوند، می‌باشد.

عملکرد

• از سال ۲۰۱۳ عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نَند عمودی، با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نَند معمولی اتفاق می‌افتد.
• از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها ۵۰ درصد انرژی مصرفی حافظه نَند معمولی تا ۱۰ برابر آن عمر می‌کند.

ظرفیت فلش مموری

• در حال حاضر فلش مموری از ۴ گیگ تا ۲ ترابایت موجود است.
• ظرفیت فلش‌ها به این ساختار می‌باشد:
• ۴ گیگ، ۸ گیگ، ۱۶ گیگ، ۳۲ گیگ، ۶۴ گیگ، ۱۲۸ گیگ، ۲۵۶ گیگ، ۵۱۲ گیگ، ۱۰۲۴ گیگ و ۲۰۴۸ گیگ که همان دو ترابایت می‌شود.
• در واقع این اعداد، همان اعداد ۲ به توان‌های مختلف است.
• ۲ به توان ۲ می‌شود ۴، ۲ به توان ۳ می‌شود ۸، ۲ به توان ۴ می‌شود ۱۶ و به همین منوال.

خرید آنلاین

• شما هموطنان گرامی می توانید محصولات مربوط به این حوزه وسیع و گسترده را از
• سایت اینترنتی نیک نام تِک تهیه نمایید.

در صورت نیاز به راهنمایی، از طریق چت آنلاین سایت پاسخگوی شما هستیم.